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DK5V150R25

发布者:深圳市祥寿电子科技有限公司     发布时间:2020/7/29 17:34:00   
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DK5V150R25ST1同步整流IC,产品概述DK5V150R25ST1是一款简单高效率的同步整流芯片,只有A,K两个功能引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了150V功率 NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。DK5V150R25ST1采用TO-220F封装。主要特点 适用于反激 PSR、SSR 应用 超低 VF 超低温升 集成 150V 25mΩ 功率 NMOS 可工作于 CCM、DCM&QR 模式 自供电技术,无需外围供电 智能检测系统,无需前端同步信号 对 EMI/C 有适当改善 可以直接替换肖特基二极管 无需任何外围。

功能描述DK5V150R25ST1 是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。1. 启动芯片内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和 NMOS 管驱动需求,无需外接电源。当 K 极电压高于 A 极时,通过自供电线路,给内置 VCC 电容充电,VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电压低于启动电压 VCC_ON 时,内置 NMOS 管关闭,当 VCC 电压大于 VCC_ON 时,芯片内部控制电路开始工作,启动完成。当 VCC 电压降低到欠压保护阈值 VCC_OFF 以下时,芯片重启。

2. NMOS 控制当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 VON 时,则打开 NMOS 管;芯片实时检测 K 点电压变化,依据 K 点电压变化,判断系统工作模式。在 CCM 模式时,通过智能算法算出当前周期 NMOS管开通时间 TON,当 NMOS 管开通时间达到 TON,关闭 NMOS 管。在非 CCM 模式时,当检测到流过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时。 则关闭功率 MOS 管。3. RC 吸收电路在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 K 点的尖峰电压,避免内置 NMOS 管过压击穿。4. NMOS 导通内阻由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低。可适当的增加散热面积,降低 IC 的工作温度。5. 注意事项 应用中需要测量同步芯片的耐压,确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片NMOS 源漏耐压; 应用中需要测量同步芯片的温度,评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。

DK5V150R25 



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