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DK5V85R25

发布者:深圳市祥寿电子科技有限公司     发布时间:2020/7/29 17:31:00   
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DK5V85R20 DK5V85R25同步整流IC,功能描述
DK5V85R25S 是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖
特基二极管的导通损耗,提高整机效率。
1.  启动
芯片内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和 NMOS 管驱动需求,无需外接电源。当 K 极
电压高于 A 极时,通过自供电线路,给内置 VCC 电容充电,VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电压低于启
动电压 VCC_ON 时,内置 NMOS 管关闭,当 VCC 电压大于 VCC_ON 时,芯片内部控制电路开始工作,
启动完成。当 VCC 电压降低到欠压保护阈值 VCC_OFF 以下时,芯片重启。
2. NMOS  控制
当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 VON 时,则打开 NMOS 管;芯片实时检测 K 点电
压变化,依据 K 点电压变化,通过智能算法算出当前周期 NMOS 管开通时间 TON,当 NMOS 管开通
时间达到 TON 或者当检测到流过 NMOS 管的电流逐渐减小到零时,关闭 NMOS 管。
3. RC  吸收电路
在启动、输出短路、输入电压过高,CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压,为防止内置 NMOS
管过压击穿,可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 K 点的尖峰电压。
4. NMOS  导通内阻
由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低。
可适当的增加散热面积,降低 IC 的工作温度。
5.  注意事项
 应用中需要测量同步芯片的耐压,确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片 NMOS 源
漏耐压;
 应用中需要测量同步芯片的表面温度,评估产品最高工作环境温度下是否超表面工作温度
范围。

DK5V85R25


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