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DK5V100R10/15C/20M/25ST1同步整流IC

发布者:深圳市祥寿电子科技有限公司     发布时间:2020/10/29 13:35:00   
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DK5V100R10/15C/20M/25ST1同步整流IC,DK5V100R10M 是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统
肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。

DK5V100R10M是一款简单高效率的同步整
流芯片,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基
二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率
NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高
整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基
整流二级管。
DK5V100R10M采用SM-10封装。
主要特点
  适用于反激 PSR、SSR 应用
  超低 V F
  超低温升
  集成 100V 10mΩ 功率 NMOS
  可工作于 DCM&QR 模式
  自供电技术,无需外围供电
  智能检测系统,无需前端同步信号
  对 EMI/C 有适当改善
  可以直接替换肖特基二极管
  无需任何外围
1.  启动
芯片内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和 NMOS 管驱动需求,无需外接电源。当 K 极
电压高于 A 极时,通过自供电线路,给内置 VCC 电容充电,VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电压低于启
动电压 VCC_ON 时,内置 NMOS 管关闭,当 VCC 电压大于 VCC_ON 时,芯片内部控制电路开始工作,
启动完成。当 VCC 电压降低到欠压保护阈值 VCC_OFF 以下时,芯片重启。
2. NMOS  控制


当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 VON 时,则打开 NMOS 管;芯片实时检测 K 点电
压变化,依据 K 点电压变化,判断系统工作模式。在非 CCM 模式时,当检测到流过功率 MOS 管的
电流逐渐减小到 0 时。 则关闭功率 MOS 管。
3. RC  吸收电路
在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 K 点的尖峰电压,避免内置 NMOS 管过压击穿。
4. NMOS  导通内阻
由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低。
可适当的增加散热面积,降低 IC 的工作温度。
5.  注意事项
  应用中需要测量同步芯片的耐压,确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片
NMOS 源漏耐压;
  应用中需要测量同步芯片的温度,评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。

DK5V100R25C 是一款简单高效率的同步整流芯片,只有 A,K 两个引脚,分别
对应肖特基二极管 PN 引脚。芯片内部集成了 100V 功率 NMOS 管,可以大幅降
低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整
流二级管。
产品特点:
? 支持 DCM、QR、和 CCM 模式反激系统。
? 内置 25 mΩ 100V 功率 NMOS 管。
? 特有的自供电技术,无需外部供电电源。
? 自检测开通关断,无需外部同步信号。
? 可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。
应用领域
? 电源转换器
? 电源适配器

DK5V100R10/15C/20M/25ST1同步整流IC


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